2、HBM3及HBM3E，海力士客户验证及出货领先于美光和三星电子 

2024年市场焦点正从HBM3向HBM3E切换。虽然主流GPU芯片H100和H200等配套HBM3，但HBM3E在2024年下半年逐步放量，并有望成为三大原厂逐鹿市占率的重要战场。 在HBM3方面，根据半导体行业观察，SK海力士最早于3Q22便已通过英伟达测试，目前英伟达H100搭配的HBM3产品来自SK海力士。三星电子凭借与AMD的长期合作关系，其HBM3产品也通过了AMD MI300系列产品验证，包括8层和12层HBM产品，在1Q24之后放量。根据半导体行业观察，由于美光始终没有加入HBM3供应系列，2024年HBM3产品的主要参与者为SK海力士和三星电子。 在HBM3E方面，根据TrendForce，SK海力士24GB产品于1Q24率先通过客户验证，美光在1Q24底向客户递交HBM3E量产产品，并在2Q24向英伟达H200供应HBM3E。

五、HBM的国产化

1、HBM是国内AI发展的胜负手，目前国产化率基本为0

HBM目前国产化自供率基本为0，是国内AI发展的胜负手。随着AI的发展，GPU/TPU与HBM的重要性日益凸显，虽然美国禁止英伟达和AMD向中国出售高端GPU，我国仍有一批优秀的企业正积极研发突破，并已可顺利量产出具有一定竞争力的GPU/TPU产品；但在HBM领域，目前国内受制于DRAM和先进封装量产工艺，仍处于积极研发状态，尚无大规模量产产品，HBM生产目前仍由海外三大家垄断，一旦产品无法购买，势必将影响到我国AI服务器的搭建乃至整个AI的发展。

2、HBM国产化需要DRAM生产和先进封装的产业化能力

 HBM生产需同时具备DRAM生产和先进封装工艺的产业化能力。目前国内部分企业虽有一定的DRAM和先进封装技术基础，但掌握的DRAM工艺制程明显落后于国际水平，且在DRAM上应用TSV、micro-bumping和堆叠键合等先进封装工艺的经验仍有较大差距。未来随着国内厂商在生产过程中不断积累经验和完善工艺，有望实现HBM的量产突破。

3、国内具备DRAM生产制造能力，但工艺制程差距仍大 

从DRAM三巨头工艺尺寸的发展历程来看，三星、SK海力士、美光在2016-2017年进入1X阶段，2018-2019年为1Y阶段，2020年处于1Z时代。后续，行业厂商朝着1α、1β、1γ等技术阶段继续迈进，当前全球量产最高制程节点水平处于1β阶段。不同代际的HBM产品采用不同工艺制程技术，目前我国长鑫虽具备DRAM生产工艺，但和市场主流代际差相差2代左右，仅具备制造HBM2的工艺节点水平。

4、国内具备先进封装工艺潜力，但仍需积累经验 

国内具备TSV、bumping和堆叠等HBM中使用到的先进封装工艺，但仍需积累生产经验以实现商业化量产。以国内武汉新芯的晶圆级三维集成技术为例，主要工作原理是在垂直方向上将载片或功能晶圆堆叠，或将芯片与晶圆进行堆叠，并在各层之间通过TSV（硅通孔）、混合键合等工艺技术实现直接的电气互连。武汉新芯的三维集成工艺涉及了HBM生产的核心三大工艺（即TSV、bumping和堆叠键合技术），但目前国内没有HBM的量产经验，在实际生产过程中，能否熟练应用晶圆级先进封装工艺决定了HBM的良率，国内产业化落地仍需积累大量的生产经验。

5、HBM国产化路径猜想 

基于HBM在AI发展中的重要性和国内目前的稀缺性，国内掌握DRAM生产工艺和先进封装工艺的各家厂商或通过自研，或通过合作的方式，正积极研发HBM产品，未来HBM国产化路径有以下猜想 （1）IDM（垂直整合制造）模式：从晶圆制造到HBM先进封装工艺全部自主完成。 （2）代工厂与封测厂合作模式：由代工厂负责生产DRAM晶圆，封测厂负责合作完成TSV、micro bumping和堆叠键合等HBM先进封装工艺部分，二者的合作或采取深度绑定一对一形式，或采用一对多形式进行合作。